IPB020NE7N3 G的供应商，IPB020NE7N3 G规格参数，IPB020NE7N3 G的PDF资料

IPB020NE7N3 G /MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:155 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:98 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:IPB020NE7N3GATMA1 IPB2NE7N3GXT SP000676950

单位重量:4 g

IPB020NE7N3 G

IPB020NE7N3 G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPB020NE7N3 G	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	IPB020NE7N3 G	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市仓实科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市清腾科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋319	0755-83993052 18390902447	刘先生	询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室	18927111567	黄	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	IPB020NE7N3 G	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPB020NE7N3 G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	IPB020NE7N3 G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价

IPB020NE7N3 G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
IPB020NE7N3 G	MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies		527.77 Kbytes	共9页		无
IPB020NE7N3 G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：3.8V @ 273uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)		530.59 Kbytes	共9页		无

IPB020NE7N3 G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	IPB020NE7N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-channel POWER MOS	1000+:￥17.68 2000+:￥16.8 5000+:￥16.16 10000+:￥15.66 25000+:￥15.16
element14 e络盟电子	IPB020NE7N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-channel POWER MOS	1000+:￥17.68 2000+:￥16.8 5000+:￥16.16 10000+:￥15.66 25000+:￥15.161+:￥28.16 10+:￥22.61 100+:￥20.62 250+:￥18.72 500+:￥18.72 1000+:￥17.87 2000+:￥17.19 5000+:￥16.72 10000+:￥16.521+:￥34.83 25+:￥27.87 100+:￥24.52 250+:￥22.15 500+:￥20.82 1000+:￥19.98
Mouser 贸泽电子	IPB020NE7N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥40.115 10:¥34.1147 100:¥29.5834 250:¥28.0466 1,000:¥21.2101 2,000:查看
Mouser 贸泽电子	IPB020NE7N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-channel POWER MOS	1000+:￥17.68 2000+:￥16.8 5000+:￥16.16 10000+:￥15.66 25000+:￥15.161+:￥28.16 10+:￥22.61 100+:￥20.62 250+:￥18.72 500+:￥18.72 1000+:￥17.87 2000+:￥17.19 5000+:￥16.72 10000+:￥16.52
立创商城	IPB020NE7N3 G	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：3.8V @ 273uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥47.77 200+:￥18.49 500+:￥17.84 1000+:￥17.52

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