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IPB020NE7N3 G /MOSFET N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G的规格信息
IPB020NE7N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:155 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:98 S

下降时间:22 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:70 ns

典型接通延迟时间:19 ns

零件号别名:IPB020NE7N3GATMA1 IPB2NE7N3GXT SP000676950

单位重量:4 g

供应商IPB020NE7N3 G
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPB020NE7N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB020NE7N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB020NE7N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市安富世纪电子有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司IPB020NE7N3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPB020NE7N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB020NE7N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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芯莱德电子（香港）有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司IPB020NE7N3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB020NE7N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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IPB020NE7N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：3.8V @ 273uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO530.59 Kbytes共9页IPB020NE7N3 G的PDF下载地址无
IPB020NE7N3 G的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		IPB020NE7N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-channel POWER MOS1000+:￥17.68
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立创商城		IPB020NE7N3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：3.8V @ 273uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道1+:￥47.77
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